福建省金石能源股份有限公司王玉华获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利一种联合钝化背接触电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224007030U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423237019.6，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型一种联合钝化背接触电池是由王玉华;曾清华;张宏;张津燕;林展奋设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种联合钝化背接触电池在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种联合钝化背接触电池，包括硅片，依次设在硅片正面的第三半导体层和减反层，设在硅片背面的第二半导体开口区与第一半导体开口区和过渡区，所述第三半导体层由依次沉积硅片正面的第二本征非晶硅层、微晶硅层组成，所述第二半导体开口区由依次设在硅片背面的第一本征非晶硅层、P型微晶硅非晶硅层、富勒烯传输薄膜、透明导电薄膜、金属电极组成，所述第一半导体开口区由依次设在硅片背面的隧穿氧化层、N型多晶硅层、透明导电薄膜、金属电极组成，所述过渡区表面刻蚀开口形成绝缘槽，隔离第一半导体和第二半导体。增加一层富勒烯薄膜作为缓冲层，有助于减少电子阻抗，提高载流子注入和传输效率，提升电池效率。
本实用新型一种联合钝化背接触电池在权利要求书中公布了：1.一种联合钝化背接触电池，其特征在于：包括硅片，依次设在硅片正面的第三半导体层和减反层，设在硅片背面的第二半导体开口区与第一半导体开口区和第二半导体开口区与第一半导体开口区之间的过渡区，所述第三半导体层由依次沉积硅片正面的第二本征非晶硅层、微晶硅层、减反层组成，所述第二半导体开口区由依次设在硅片背面的第一本征非晶硅层、P型微晶硅非晶硅层、富勒烯传输薄膜、透明导电薄膜、金属电极组成，所述第一半导体开口区由依次设在硅片背面的隧穿氧化层、N型多晶硅层、透明导电薄膜、金属电极组成，所述过渡区由依次设在硅片背面的隧穿氧化层、N型多晶硅层、第一本征非晶硅层、P型微晶硅非晶硅层、富勒烯传输薄膜、透明导电薄膜组成，所述过渡区表面透明导电薄膜刻蚀开口形成绝缘槽。
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