宁波大学;北京铭镓半导体有限公司刘维豪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉宁波大学;北京铭镓半导体有限公司申请的专利一种超宽禁带半导体异质结结构的深紫外光电探测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224007026U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422968049.8，技术领域涉及：H10F77/12；该实用新型一种超宽禁带半导体异质结结构的深紫外光电探测器是由刘维豪;王旭设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超宽禁带半导体异质结结构的深紫外光电探测器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种超宽禁带半导体异质结结构的深紫外光电探测器，包括基板衬底、DBR层、Zn掺杂β‑Ga2O3层、阻挡层、Ga掺杂γ‑GeO2层以及电流收集层；DBR层配置于基板衬底上，Zn掺杂β‑Ga2O3层配置于DBR层上，阻挡层配置于Zn掺杂β‑Ga2O3层上，Ga掺杂γ‑GeO2层配置于阻挡层，电流收集层配置于Ga掺杂γ‑GeO2层上；Zn掺杂β‑Ga2O3层为N型半导体，Ga掺杂γ‑GeO2层为P型半导体，Zn掺杂β‑Ga2O3层与Ga掺杂γ‑GeO2层形成P‑N异质结；通过设置Zn掺杂的β‑Ga2O3层和Ga掺杂γ‑GeO2层，具备良好的光电转换效率；β‑Ga2O3有助于增强对紫外波段的响应；γ‑GeO2具有较宽的光吸收范围，二者结合可提升该深紫外光电探测器的灵敏度和光电转换效率；通过设置P‑N异质结，提升光电转换效率，有效降低暗电流，减少探测噪声，提升信噪比。
本实用新型一种超宽禁带半导体异质结结构的深紫外光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种超宽禁带半导体异质结结构的深紫外光电探测器，其特征在于：包括基板衬底、DBR层、Zn掺杂β-Ga2O3层、阻挡层、Ga掺杂γ-GeO2层以及电流收集层； 所述DBR层配置于所述基板衬底上，所述Zn掺杂β-Ga2O3层配置于所述DBR层上，所述阻挡层配置于所述Zn掺杂β-Ga2O3层上，所述Ga掺杂γ-GeO2层配置于所述阻挡层，所述电流收集层配置于所述Ga掺杂γ-GeO2层上； 所述Zn掺杂β-Ga2O3层为N型半导体，Ga掺杂γ-GeO2层为P型半导体，所述Zn掺杂β-Ga2O3层与所述Ga掺杂γ-GeO2层形成P-N异质结。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宁波大学;北京铭镓半导体有限公司，其通讯地址为：315211 浙江省宁波市江北区风华路818号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励