上海韦尔半导体股份有限公司薛华瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种功率MOSFET版图及MOSFET获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224007006U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520632927.0，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型一种功率MOSFET版图及MOSFET是由薛华瑞;董建新设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率MOSFET版图及MOSFET在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的一种功率MOSFET版图及MOSFET，在所述第一沟槽区和第二沟槽区之间未设置接触孔区。这样可以提升屏蔽栅极功率MOSFET击穿电压，且本申请实施例提供的MOSFET终端区的沟槽底部的场强碰撞电离率降低。
本实用新型一种功率MOSFET版图及MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种功率MOSFET版图，其特征在于，包括：元胞区和终端区； 所述终端区设置在所述元胞区周围； 所述终端区靠近所述元胞区的位置相邻间隔设置有第一沟槽区和第二沟槽区； 所述第一沟槽区中和第二沟槽区中分别设置有源极接触孔区； 所述第一沟槽区和第二沟槽区之间未设置接触孔区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海韦尔半导体股份有限公司，其通讯地址为：200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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