台湾积体电路制造股份有限公司施仰欣获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224007004U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520574192.0，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置是由施仰欣;潘奕维;陈映志;苏品岱;林高正设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置包括垂直堆叠在基板上方的第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层横向延伸穿过基板。半导体装置包括从基板垂直延伸并垂直于第一半导体层和第二半导体层的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构接合第一半导体层和第二半导体层以分别形成第一晶体管和第二晶体管。第二栅极结构接合第一半导体层和第二半导体层分别形成第三晶体管和第四晶体管。第一栅极结构横向邻近于第二栅极结构。第三晶体管是被动晶体管。第二晶体管和第四晶体管为主动晶体管。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一第一半导体层与一第二半导体层垂直地堆叠于一基板上方，该第一半导体层与该第二半导体层分别横向延伸穿过该基板；及 一第一栅极结构与一第二栅极结构从该基板垂直延伸，并垂直于该第一半导体层与该第二半导体层，该第一栅极结构与该第一半导体层和该第二半导体层接合以分别形成一第一晶体管与一第二晶体管，该第二栅极结构与该第一半导体层和该第二半导体层接合以分别形成一第三晶体管与一第四晶体管，其中： 该第一栅极结构横向地邻近于该第二栅极结构， 该第三晶体管为被动晶体管；且 该第二晶体管与该第四晶体管为主动晶体管。
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