台湾积体电路制造股份有限公司张书维获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224007003U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520504617.0，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置是由张书维;吴中书设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包含多个纳米结构通道、多个内间隔物、栅极结构及源漏极区。纳米结构通道位于基板上，并沿垂直基板的方向设置，以及包含第一纳米结构通道及位于第一纳米结构通道上方的第二纳米结构通道。源漏极区邻接纳米结构通道。栅极结构围绕纳米结构通道每一者，栅极结构的在第一纳米结构通道下的第一部分在第一部分的大约中心具有第一宽度，栅极结构的在第一及第二纳米结构通道之间的第二部分在第二部分的大约中心具有第二宽度，第二宽度与在第二部分的顶部的第三宽度之间的差小于第一宽度及第二宽度之间的差。内间隔物位于源漏极区及栅极结构之间，内间隔物其中一者位于第一及第二纳米结构通道之间。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含: 多个纳米结构通道，位于一基板上， 其中所述多个纳米结构通道沿垂直该基板的一方向设置，以及 其中所述多个纳米结构通道包含一第一纳米结构通道及位于该第一纳米结构通道上方的一第二纳米结构通道； 一源漏极区，邻接所述多个纳米结构通道； 一栅极结构，围绕所述多个纳米结构通道每一者， 其中该栅极结构的在该第一纳米结构通道下的一第一部分在该第一部分的一大约中心具有一第一宽度， 其中该栅极结构的在该第一纳米结构通道及该第二纳米结构通道之间的一第二部分在该第二部分的一大约中心具有一第二宽度，以及 其中该第二宽度与在该第二部分的一顶部的一第三宽度之间的差小于该第一宽度及该第二宽度之间的差；以及 多个内间隔物，位于该源漏极区及该栅极结构之间， 其中所述多个内间隔物其中一者位于该第一纳米结构通道及该第二纳米结构通道之间。
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