上海韦尔半导体股份有限公司曹培明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种MOSFET版图及MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224006997U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520153818.0，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种MOSFET版图及MOSFET器件是由曹培明;衷世雄;董建新设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET版图及MOSFET器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MOSFET版图及MOSFET器件，通过在每个所述第一沟槽区中设置有两个间隔设置的栅极接触孔区，通过优化版图，即调整栅极多晶硅接触孔的数目和尺寸，改善栅极接触孔的位置，采用对称的结构，避免接触孔偏移至中间最凹位置，导致接触不良，增加栅极接触面积，对栅极接触电阻有减小的作用。
本实用新型一种MOSFET版图及MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET版图，其特征在于，包括：终端区和元胞区，所述终端区设置在所述元胞区周围； 所述元胞区包括多个间隔设置的第一沟槽区； 所述终端区包括多个间隔设置的第二沟槽区； 多个所述第一沟槽之间设置有源极接触孔区； 每个所述第一沟槽区中设置有两个间隔设置的栅极接触孔区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海韦尔半导体股份有限公司，其通讯地址为：200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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