意法半导体国际公司廖家樑获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224006996U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520331299.2，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型器件是由廖家樑;阮文征;V·埃内亚设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本器件在说明书摘要公布了：本公开涉及器件。一种功率MOSFET器件，包括在掩埋多晶硅源极和凹陷基板的侧壁之间的至少一个空气间隙。该器件包括在基板上并且界定空气间隙的多个绝缘层。
本实用新型器件在权利要求书中公布了：1.一种器件，其特征在于，包括： 功率MOSFET，包括： 基板，包括： 在所述基板的第一表面中的凹槽，第一表面在第一方向上延伸，所述凹槽具有在横向于第一方向的第二方向上延伸的侧壁，所述凹槽包括在所述侧壁之间在第一方向上延伸的第二表面； 在所述基板的第一表面上和所述凹槽中的绝缘层； 在所述绝缘层中的第一多晶硅区域，第一多晶硅区域在第二方向上延伸第一维度；以及 在第一多晶硅区域和所述基板之间的所述绝缘层中的空气间隙，所述空气间隙在第二方向上延伸小于第一维度的第二维度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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