苏州湃矽科技有限公司;新加坡湃矽科技有限公司丁川洋获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州湃矽科技有限公司;新加坡湃矽科技有限公司申请的专利光子集成电路芯片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224005300U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520250272.0,技术领域涉及:G02B6/12;该实用新型光子集成电路芯片是由丁川洋;季梦溪;李显尧设计研发完成,并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本光子集成电路芯片在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种光子集成电路芯片,包括:半导体层,设有半导体光器件以及围绕半导体光器件的掺杂连接部;第一叠层和第二叠层,分别层叠于半导体层相背的两侧,第一叠层中设有第一金属屏蔽层以及围绕半导体光器件的第一密集导电孔,第二叠层中设有第二金属屏蔽层以及围绕半导体光器件的第二密集导电孔,两个金属屏蔽层在半导体层上的投影均覆盖半导体光器件及掺杂连接部,两个密集导电孔通过掺杂连接部电连接,并分别电连接至第一金属屏蔽层和第二金属屏蔽层;如此,第一金属屏蔽层、第一密集导电孔、掺杂连接部、第二密集导电孔和第二金属屏蔽层依次电连接,构成包围半导体光器件的屏蔽结构。
本实用新型光子集成电路芯片在权利要求书中公布了:1.一种光子集成电路芯片,其特征在于,包括: 半导体层,所述半导体层设有半导体光器件以及围绕所述半导体光器件的掺杂连接部,所述掺杂连接部为导电掺杂半导体层,且与所述半导体光器件绝缘间隔; 第一叠层,层叠于所述半导体层的一侧,所述第一叠层包括相间层叠的若干图案化金属层和介质层,所述若干图案化金属层的其中一层设有第一金属屏蔽层,所述第一金属屏蔽层在所述半导体层上的投影覆盖所述半导体光器件及所述掺杂连接部; 第二叠层,层叠于所述半导体层背离所述第一叠层的一侧,所述第二叠层包括相间层叠的若干图案化金属层和介质层,所述若干图案化金属层的其中一层设有第二金属屏蔽层,所述第二金属屏蔽层在所述半导体层上的投影覆盖所述半导体光器件及所述掺杂连接部; 围绕半导体光器件的第一密集导电孔,第一密集导电孔贯穿第一叠层并分别电连接至第一金属屏蔽层和掺杂连接部; 围绕半导体光器件的第二密集导电孔,第二密集导电孔贯穿第二叠层并分别电连接至第二金属屏蔽层和掺杂连接部; 第一密集导电孔和第二密集导电孔通过所述掺杂连接部相互电连接,使第一金属屏蔽层、第一密集导电孔、第二密集导电孔和第二金属屏蔽层依次电连接,以构成包围所述半导体光器件的屏蔽结构。
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