合肥晶合集成电路股份有限公司王冉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利沟槽结构的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121487513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610024021.X，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权沟槽结构的制备方法及半导体器件是由王冉;杨智强;林祐丞;林子荏;张旭设计研发完成，并于2026-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽结构的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种沟槽结构的制备方法及半导体器件。该制备方法包括：在基底形成暴露沟槽刻蚀区域的掩膜层；在沟槽刻蚀区域，对基底进行N轮次刻蚀工艺以形成沟槽，N＞1，每轮次刻蚀工艺包括：对基底进行氧化处理，得到位于沟槽刻蚀区域内的氧化层；进行至少一次刻蚀处理，刻蚀处理包括：以预设喷射速度按照沟槽深度方向喷射刻蚀气体，使得氧化层在第一环境下与刻蚀气体发生吸附反应而形成反应层，将第一环境调整为第二环境以使得反应层发生脱附反应而被去除；其中，第n轮次刻蚀中的刻蚀气体喷射速度大于第n‑1轮次中的刻蚀气体喷射速度，n=2,…,N。该制备方法可有效避免暗电流，获得无电荷损伤的高深宽比的沟槽结构。
本发明授权沟槽结构的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽结构的制备方法，其特征在于，包括： 在基底形成暴露沟槽刻蚀区域的掩膜层； 在所述沟槽刻蚀区域，对所述基底进行N轮次刻蚀工艺以形成沟槽，N＞1，每轮次刻蚀工艺包括： 对所述基底进行氧化处理，得到位于沟槽刻蚀区域内的氧化层； 进行至少一次刻蚀处理，所述刻蚀处理包括：以预设喷射速度按照沟槽深度方向喷射刻蚀气体，使得所述氧化层在第一环境下与所述刻蚀气体发生吸附反应而形成反应层，将第一环境调整为第二环境以使得所述反应层发生脱附反应而被去除； 其中，第n轮次刻蚀工艺中的刻蚀气体喷射速度大于第n-1轮次刻蚀工艺中的刻蚀气体喷射速度，n=2,…,N； 所述基底为硅基底，所述将第一环境调整为第二环境包括：将第一环境对应的第一温度调整为第二环境对应的第二温度，其中，所述第一温度低于所述第二温度。
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