季华实验室张钰获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利有机三元异质耦合结构的多功能突触晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511945141.5，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权有机三元异质耦合结构的多功能突触晶体管及其制作方法是由张钰;杨兴龙;颜林;郑昕设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本有机三元异质耦合结构的多功能突触晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有机三元异质耦合结构的多功能突触晶体管及其制作方法，属于有机光学突触晶体管领域,包括电极以及由底往上依次层叠的衬底、栅介质层、有机PN结，有机PN结包括N型有机半导体层和层叠在N型有机半导体层上的P型有机半导体层，P型有机半导体层上设置有面积小于P型有机半导体层的手性COF层，电极包括源极和漏极，源极和漏极均既与手性COF层接触，又与P型有机半导体层接触,通过光脉冲输入信息，能够利用三元异质耦合结构形成的光电响应增强效果，对偏振以及多波长光电信息进行采集、处理与存储，实现了圆偏振光识别、宽光谱响应及双向突触等多种功能的高效集成，为紧凑型智能视觉系统提供新方案。
本发明授权有机三元异质耦合结构的多功能突触晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种有机三元异质耦合结构的多功能突触晶体管，其特征在于，包括电极以及由底往上依次层叠的衬底、栅介质层、有机PN结，所述有机PN结包括N型有机半导体层和层叠在所述N型有机半导体层上的P型有机半导体层，所述N型有机半导体层为二维有机分子晶体膜，所述P型有机半导体层为二维有机分子晶体膜，所述P型有机半导体层上设置有面积小于所述P型有机半导体层的手性COF层，所述电极包括源极和漏极，所述源极和所述漏极均既与所述手性COF层接触，又与所述P型有机半导体层接触。
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