季华实验室罗爱鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121362957B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511956879.1，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法是由罗爱鑫;郭可升;陈欣环;徐龙;胡强设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体领域，主要涉及一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法。一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：对衬底进行预处理；制备Ga‑B合金；将所述Ga‑B合金覆盖于经过预处理的衬底；经排气、通气、控温，实现基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜的生长。本申请突破液态金属仅催化sp2碳的局限，通过管式炉简易温控与常压环境，实现sp3键合金刚石的低温合成，无需高温高压设备及复杂高真空系统，显著降低设备成本与工艺复杂度，为BDD薄膜的低成本、高性能制备提供了新路径。
本发明授权一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 对衬底进行预处理； 制备Ga-B合金； 将所述Ga-B合金覆盖于经过预处理的衬底； 经排气、通气、控温，得到基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜； 通气、控温包括以下步骤： 通气：通入还原性气体或含还原性气体的混合气体； 控温：通入气态的碳源，气压调整至0.8~1.2atm，以10~20℃min的升温速率加热至750-850℃，保温150-200min。
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