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龙图腾网获悉湖南进芯电子科技有限公司申请的专利一种半桥驱动芯片的短路保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121355819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511897080.X，技术领域涉及：H02H3/08；该发明授权一种半桥驱动芯片的短路保护电路是由刘成凯;黄磊;黄嵩人设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半桥驱动芯片的短路保护电路在说明书摘要公布了：一种半桥驱动芯片的短路保护电路，涉及短路保护、集成电路设计领域，包括：预驱模块，产生高边信号与低边信号；驱动半桥模块，高边MOS接收高边信号，低边MOS接收低边信号；栅源硬件钳位模块，检测到高边MOS对地短路过流时对其进行电压钳位；相电压短路保护模块，用于对高边MOS短路过流时的过流时间进行控制，检测到高低边MOS短路过流时发送故障信号给逻辑模块；母线过流保护模块，检测到母线过流时发送故障信号给逻辑模块；逻辑模块根据故障信号判断是否使得短路保护电路进入保护状态。本发明通过三级保护电路在不同过流故障场景下实时智能切换响应速度与保护机制，具备灵敏度高、响应速度快、抗干扰能力强的特点。

本发明授权一种半桥驱动芯片的短路保护电路在权利要求书中公布了：1.一种半桥驱动芯片的短路保护电路，其特征在于，包括以下模块：预驱模块I1、驱动半桥模块I2、栅源硬件钳位模块I3、相电压短路保护模块I4及母线过流保护模块I5、逻辑模块I6及采样电阻Rs； 所述预驱模块I1，用于产生高边信号HOX与低边信号LOX； 所述驱动半桥模块I2包括作为高边桥的第一NMOS管M1与作为低边桥的第二NMOS管M2；所述驱动半桥模块I2通过采样电阻Rs接地；所述高边桥接收高边信号HOX，所述低边桥接收低边信号LOX； 所述栅源硬件钳位模块I3包括钳位二极管D1、第三PMOS管M3及第一电阻R1，用于当第一NMOS管M1短路过流时对其进行钳位； 所述钳位二极管D1的阴极与所述第一电阻R1的一端及所述第三PMOS管M3的栅极连接；所述钳位二极管D1的阳极与所述第一NMOS管M1的源极连接；所述第一电阻R1的另一端连接与所述高边信号HOX连接；所述第三PMOS管M3的源极与所述高边信号HOX连接，漏极与所述第一NMOS管M1的源极连接； 所述相电压短路保护模块I4与所述驱动半桥模块I2连接，用于对第一NMOS管M1短路过流时的过流时间进行控制，并在检测到第一NMOS管M1或第二NMOS管M2短路过流时发送故障信号给逻辑模块I6； 所述母线过流保护模块I5与所述采样电阻Rs连接，用于根据采样电阻Rs两端电压以判断是否母线过流，并在母线过流时发送故障信号给逻辑模块I6； 所述逻辑模块I6用于根据故障信号判断是否关闭预驱模块I1使得所述短路保护电路进入保护状态。

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