合肥晶合集成电路股份有限公司马梦辉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利降低光刻胶显影后缺陷的方法及半导体结构制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121348676B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511935069.8，技术领域涉及：G03F7/40；该发明授权降低光刻胶显影后缺陷的方法及半导体结构制作方法是由马梦辉;刘洋;李婷设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低光刻胶显影后缺陷的方法及半导体结构制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低光刻胶显影后缺陷的方法及半导体结构制作方法，属于半导体领域，本发明将微波加热提前至蒸发显影液工序，并且通入惰性气体减少光刻胶图案内外压差，通过微波加热蒸发半导体结构上的显影液，同时通入惰性气体和开启干燥腔室的抽气装置，将显影液蒸汽抽走，通过惰性气体维持干燥腔室处于微正压状态以保护半导体结构，微波加热在蒸发显影液的同时加热光刻胶使其进一步交联固化；对光刻胶图案清洗以去除蒸发显影液后的残留物。使得本发明将显影液清洗置换、显影液蒸发和硬烘整合为一个工序，最终使得本发明可以缩短硬烘时间甚至去掉硬烘工序，所得光刻胶图案更加致密和坚固，因此在后续清洗过程中也不易造成光刻胶图案坍塌。
本发明授权降低光刻胶显影后缺陷的方法及半导体结构制作方法在权利要求书中公布了：1.一种降低光刻胶显影后缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体结构，所述半导体结构上具有光刻胶，通过显影液对光刻胶进行显影； 将含有显影液的半导体结构传送至干燥腔室中，通过微波加热蒸发半导体结构上的显影液，同时通入惰性气体和开启干燥腔室的抽气装置，利用抽气装置将显影液蒸汽抽走，通过惰性气体维持干燥腔室处于微正压状态以保护半导体结构，所述微波加热在蒸发显影液的同时加热光刻胶图案使其进一步交联固化；所述干燥腔室中微正压环境的压力为100-500Pa； 对光刻胶图案清洗以去除蒸发显影液后的残留物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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