中国科学技术大学徐光伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511903655.4，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路是由徐光伟;李秋艳;王乐泉;龙世兵设计研发完成，并于2025-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域中的一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路。氧化镓肖特基二极管的氧化镓外延层的台面终端上设置有两个JTE结构和阳极。每个JTE结构包括依次叠置在台面终端上的渐变电荷量的n层JTE。阳极一端填充在两个JTE结构之间，另一端溢出并平铺在两个顶层JTE上。在沿垂直于平面的方向上，阳极的整体宽度M1、台面终端的宽度M2、每层JTE的宽度Wn分别为：。M为阳极接触在台面终端上的宽度；L1,…,Ln分别为顶层至底层顺次延伸的所有台阶的宽度，n≥2。本发明实现电场在横向和纵向上的均匀分布，同时降低JTE设计时电荷的敏感度，可实现多维度电场调控。
本发明授权一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓肖特基二极管，其特征在于，其氧化镓外延层的台面终端上设置有： 两个结终端拓展结构，对称设置且面面相对的两个侧面均为平面，而相背的两个侧面均呈台阶状；每个结终端拓展结构包括依次叠置在台面终端上的渐变电荷量的n层结终端拓展；n层结终端拓展和台面终端是通过金属掩模自对准刻蚀同步形成； 阳极，一端填充在两个结终端拓展结构之间，另一端溢出并平铺在两个顶层结终端拓展上； 其中，在沿垂直于平面的方向上，阳极的整体宽度M1、台面终端的宽度M2、每层结终端拓展的宽度Wn分别为： M1=2L1+M； M2=2L1+…+Ln+M； Wn=L1+…+Ln； 式中，M为阳极接触在台面终端上的宽度；L1,…,Ln分别为顶层至底层顺次延伸的所有台阶的宽度，n≥2。
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