国立大学法人东北大学远藤哲郎获国家专利权
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龙图腾网获悉国立大学法人东北大学申请的专利隧道结层叠膜、磁存储元件和磁存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114641868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080077649.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权隧道结层叠膜、磁存储元件和磁存储器是由远藤哲郎;斋藤好昭;池田正二;佐藤英夫设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本隧道结层叠膜、磁存储元件和磁存储器在说明书摘要公布了：提供了热稳定性高的隧道结层叠膜和使用该隧道结层叠膜的磁存储元件及磁存储器。隧道结层叠膜1包括具有含有硼的第一铁磁性层24的记录层14、与记录层14邻接的隧道结层13、以及与隧道结层13邻接的参照层12，其中，第一铁磁性层24和参照层12在垂直于膜表面的方向上磁化，记录层14具有与第一铁磁性层24邻接的铪层25。
本发明授权隧道结层叠膜、磁存储元件和磁存储器在权利要求书中公布了：1.一种隧道结层叠膜，包括： 记录层，具有含硼的第一铁磁性层； 隧道结层，与所述记录层邻接；以及 参照层，与所述隧道结层邻接， 所述参照层在垂直于膜表面的方向上磁化， 所述记录层包括与所述第一铁磁性层邻接且厚度为0.35nm以上且0.7nm以下的铪层， 所述记录层包括含有硼的第二铁磁性层， 所述隧道结层与所述第一铁磁性层邻接， 所述第一铁磁性层与所述铪层邻接， 所述铪层与所述第二铁磁性层邻接， 所述第二铁磁性层与含有氧原子的非磁性层邻接， 所述第一铁磁性层通过所述隧道结层与第一铁磁性层的界面处的界面磁各向异性，在垂直于所述膜表面的方向上磁化，以及 所述第二铁磁性层通过所述含有氧原子的非磁性层与所述第二铁磁性层的界面处的界面磁各向异性，在垂直于所述膜表面的方向上磁化。
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