买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011492600.6，技术领域涉及：H10P50/68；该发明授权半导体结构的形成方法是由李强;苏波;金吉松设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层，目标层上形成有图形定义层，图形定义层中形成有沿第一方向延伸、并贯穿图形定义层的第一牺牲层，第一牺牲层和图形定义层之间具有刻蚀选择比；进行第一图形定义处理，第一图形定义处理包括：沿第二方向，在图形定义层和第一牺牲层的交界处，去除所述图形定义层和第一牺牲层，形成由图形定义层、第一牺牲层和目标层围成的开口，第二方向和第一方向相垂直；在开口的侧壁形成第一侧墙层；在第一图形定义处理后，去除第一牺牲层；去除第一牺牲层后，以第一侧墙层和图形定义层为掩膜刻蚀目标层，形成目标图形。从而有利于进一步缩小目标图形之间的节距。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成目标图形的目标层，所述目标层上形成有图形定义层，所述图形定义层中形成有沿第一方向延伸、并贯穿所述图形定义层的第一牺牲层，所述第一牺牲层和图形定义层之间具有刻蚀选择比； 进行第一图形定义处理，所述第一图形定义处理包括：沿第二方向，在所述图形定义层和第一牺牲层的交界处，去除部分所述图形定义层和第一牺牲层，形成由所述图形定义层、第一牺牲层和目标层围成的开口，所述第二方向和所述第一方向相垂直；在所述开口的侧壁形成第一侧墙层； 在所述第一图形定义处理后，进行一次或多次的第二图形定义处理，所述第二图形定义处理包括：在所述的开口的剩余空间中形成第二牺牲层；形成所述第二牺牲层后，沿所述第二方向，在所述图形定义层和第二牺牲层的交界处，去除部分所述图形定义层和第二牺牲层，形成由所述图形定义层、第二牺牲层和目标层围成的另一开口；形成由所述图形定义层、第二牺牲层和目标层围成的另一开口后，在所述另一开口的侧壁形成第二侧墙层； 去除所述第一牺牲层和第二牺牲层； 去除所述第一牺牲层和第二牺牲层后，以所述第一侧墙层、第二侧墙层和图形定义层为掩膜刻蚀所述目标层，形成目标图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。