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龙图腾网获悉芯翼信息科技(上海)有限公司;芯翼信息科技(南京)有限公司申请的专利浮空N阱防倒灌接口电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114629488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210296611.X，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权浮空N阱防倒灌接口电路是由丁维贤;肖建宏设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本浮空N阱防倒灌接口电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种浮空N阱防倒灌接口电路，包括供电模块、栅跟踪模块、浮空阱模块、浮空阱稳定模块、输出驱动级模块和晶体管，当芯片进入低功耗状态后，所述浮空阱模块输送第一高电位至所述栅跟踪模块，所述栅跟踪模块接收所述第一高电位后输出第二高电位至所述晶体管的控制端，以断开所述供电模块与所述输出驱动级模块的电连接。实现了防倒灌，避免了芯片被误唤醒；通过栅跟踪模块、浮空阱模块、浮空阱稳定模块和晶体管的配合来实现防倒灌，对芯片的电压或电流防倒灌更加稳定可靠；通过所述浮空阱模块稳定所述浮空阱模块的电位，使得浮空阱模块提供稳定的第一高电位，进一步提高了防倒灌稳定性，解决了现有技术中的问题。

本发明授权浮空N阱防倒灌接口电路在权利要求书中公布了：1.一种浮空N阱防倒灌接口电路，其特征在于，包括供电模块、栅跟踪模块、浮空阱模块、浮空阱稳定模块、输出驱动级模块和晶体管，所述供电模块连接所述栅跟踪模块、所述浮空阱模块和所述浮空阱稳定模块，所述栅跟踪模块连接所述晶体管的控制端和所述浮空阱模块，所述晶体管的源极连接所述供电模块，所述晶体管的漏极连接所述输出驱动级模块，所述浮空阱模块连接所述浮空阱稳定模块；所述供电模块包括电池、IO电源和外部电源，所述电池连接所述IO电源，所述IO电源连接所述栅跟踪模块、所述晶体管的源极、所述浮空阱模块和所述浮空阱稳定模块，所述外部电源通过倒灌端连接所述晶体管的漏极； 所述浮空阱模块包括第一PMOS管和浮空N阱，所述第一PMOS管的栅极连接所述IO电源，所述第一PMOS管的衬底和漏极短接且连接所述浮空N阱，所述第一PMOS管的源极连接所述倒灌端； 所述栅跟踪模块包括第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极连接所述IO电源，所述第二PMOS管的源极连接所述第一PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极连接所述晶体管的控制端，所述第二PMOS管的衬底和所述晶体管的衬底均连接所述浮空N阱； 所述浮空阱稳定模块包括第四PMOS管，所述第四PMOS管的漏极连接所述IO电源，所述第四PMOS管的源极与衬底短接且连接所述第一PMOS管的源极； 所述输出驱动级模块包括开关、若干第一反相器和若干第二反相器，若干所述第一反相器串联，其中一个所述第一反相器的输出端连接所述开关的第一端，所述开关的第二端连接所述晶体管的控制端和所述第二PMOS管的漏极，若干所述第二反相器串联； 所述浮空N阱防倒灌接口电路还包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极和衬底短接且接地； 所述浮空N阱防倒灌接口电路还包括防倒灌逻辑模块，所述防倒灌逻辑模块包括第五PMOS管和第四NMOS管；所述第五PMOS管的栅极连接所述第四NMOS管的栅极和所述开关的第一端，所述第五PMOS管的源极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第五PMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，所述第五PMOS管的衬底连接所述浮空N阱，所述第四NMOS管的源极接地； 当芯片进入低功耗状态后，所述第五PMOS管和所述第四PMOS管产生开关控制信号以控制所述开关断开，以防止所述第一反相器输出电流至所述输出驱动级晶体管的控制端。

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