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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利存储器的电容结构与其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011303477.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器的电容结构与其制作方法是由黄凯隽设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器的电容结构与其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储器的电容结构与其制作方法，其中该存储器的电容结构包含多个圆筒态样的下电极层，其底端与一基底接触并垂直向上延伸，该圆筒态样具有波纹截面型态的侧壁，且相邻的该下电极层的该波纹截面型态相同但在垂直方向偏移一段距离、一电容介电层位于该些下电极层上、以及一上电极层位于该电容介电层上。

本发明授权存储器的电容结构与其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的电容结构的制作方法，包含： 提供基底，该基底上依序具有介电层结构与硬掩模层结构； 在该硬掩模层结构上形成图案化光致抗蚀剂层以及位于该图案化光致抗蚀剂层的侧壁上的间隔壁； 以该图案化光致抗蚀剂层与该间隔壁为蚀刻掩模进行第一蚀刻制作工艺移除未被遮盖的该硬掩模层结构，以形成第一图案化硬掩模层并且裸露出该介电层结构的第一部位； 蚀刻该裸露出的第一部位一预定高度； 移除该图案化光致抗蚀剂层； 以该间隔壁为蚀刻掩模进行第二蚀刻制作工艺移除未被遮盖的该第一图案化硬掩模层，以形成第二图案化硬掩模层并且裸露出该介电层结构的第二部位，其中该第二部位的表面高于该第一部位的表面该预定高度；以及 进行开孔蚀刻制作工艺，分别于该介电层结构的该第一部位与该第二部位形成第一开孔与第二开孔，其中该第一开孔与该第二开孔的侧壁具有波纹截面型态，且该第一开孔与该第二开孔的波纹截面型态相同但在垂直方向偏移该预定高度，其中该第一开孔与该第二开孔裸露出下方的该基底； 在该第二图案化硬掩模层、该第一开孔、该第二开孔以及该基底的表面上形成一下电极层； 在该下电极层形成后移除该介电层结构与至少部分的该第二图案化硬掩模层，以形成多个呈中空圆筒态样从该基底上垂直向上延伸的该下电极层；以及 在多个该下电极层上依序形成电容介电层与上电极层，其中该电容介电层位于多个该下电极层构成的中空圆筒态样侧壁的外部表面上以及内部表面上。

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