台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司杨秀丽获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利存储器器件的控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011476130.4，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权存储器器件的控制电路是由杨秀丽;孔路平;程宽;万和舟设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件的控制电路在说明书摘要公布了：本公开涉及存储器器件的控制电路。一种电路包括跟踪字线、电源开关、跟踪位线、感测电路。电源开关耦合在跟踪字线和第一节点之间。电源开关被配置为响应于通过跟踪字线发送到电源开关的时钟脉冲信号而使第一节点上的电压电平放电。跟踪位线耦合在第一节点和存储器阵列中的多个跟踪单元之间。感测电路耦合在第一节点和第二节点之间。感测电路被配置为响应于第一节点上的电压电平低于感测电路的阈值电压值而生成负位线使能信号。
本发明授权存储器器件的控制电路在权利要求书中公布了：1.一种用于控制存储器器件的电路，包括： 跟踪字线； 电源开关，耦合在所述跟踪字线和第一节点之间，所述电源开关被配置为响应于通过所述跟踪字线发送到所述电源开关的时钟脉冲信号而使所述第一节点上的电压电平放电； 跟踪位线，耦合在所述第一节点和存储器阵列中的多个跟踪单元之间；以及 感测电路，耦合在所述第一节点和第二节点之间，所述感测电路被配置为响应于所述第一节点上的电压电平低于所述感测电路的阈值电压值而生成负位线使能信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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