应用材料公司K·拉马斯瓦米获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于处理基板的方法与设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207785B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080054045.0，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权用于处理基板的方法与设备是由K·拉马斯瓦米;杨扬;K·柯林斯;S·莱恩;G·蒙罗伊;郭岳设计研发完成，并于2020-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于处理基板的方法与设备在说明书摘要公布了：本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种处理基板的方法包含：将低频RF功率或DC功率中的至少一者施加到设置为邻接处理空间的上部电极，所述上部电极由高二次电子发射系数材料形成；在处理空间中产生等离子体，所述等离子体包含离子；用离子轰击上部电极以使上部电极发射电子并形成电子束；以及将偏压功率施加到设置在处理空间中的下部电极，以使电子束中的电子朝向下部电极加速，偏压功率包含低频RF功率或高频RF功率中的至少一者。
本发明授权用于处理基板的方法与设备在权利要求书中公布了：1.一种处理基板的方法，所述方法包含以下步骤： 将低频RF功率或DC功率中的至少一者施加到设置为邻接处理空间的上部电极，所述上部电极由高二次电子发射系数材料形成； 在所述处理空间中产生等离子体，所述等离子体包含离子； 用所述离子轰击所述上部电极，以使所述上部电极发射电子并形成电子束； 将偏压功率施加到设置在所述处理空间中的下部电极，以使所述电子束中的电子朝向所述下部电极加速，所述偏压功率包含低频RF功率或高频RF功率中的至少一者；以及 以连续模式将低频RF功率或DC功率中的所述至少一者施加到所述上部电极，以及 其中施加所述偏压功率包含：以脉冲模式将低频RF功率施加到所述下部电极，使得在所述低频RF功率的正弦周期的至少一部分期间，低频RF功率的给定脉冲向所述下部电极提供比施加到所述上部电极的电压更小的电压。
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