株式会社FLOSFIA冲川满获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社FLOSFIA申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114144889B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080052650.4，技术领域涉及：H10D64/64；该发明授权半导体装置是由冲川满设计研发完成，并于2020-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种特别对于功率器件有用的、抑制了漏电流的低损耗的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层和肖特基电极，所述半导体层包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极包含第一电极层和导电率高于第一电极层的第二电极层，其中，第二电极层的外端部经由第一电极层与所述半导体层电连接，第一电极层的外端部位于比电连接的第二电极层的电连接区域的外端部更外侧的位置。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，至少具备半导体层和肖特基电极，所述半导体层包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极包含第一电极层和导电率高于第一电极层的第二电极层，其特征在于，所述第二电极层的外端部经由所述第一电极层与所述半导体层电连接，所述第一电极层的外端部位于比电连接的所述第二电极层的电连接区域的外端部更外侧的位置， 所述第一电极层之中比所述第二电极层的外端部向更外侧伸出的部分的至少一部分具有向所述半导体装置的外侧而膜厚减少的锥形区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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