美光科技公司R·艾哈迈德获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有相对于彼此横向和垂直偏移的导电互连的组件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114093808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110771014.3,技术领域涉及:H10W20/41;该发明授权具有相对于彼此横向和垂直偏移的导电互连的组件是由R·艾哈迈德;R·科蒂;D·A·奎利;D·普拉特设计研发完成,并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有相对于彼此横向和垂直偏移的导电互连的组件在说明书摘要公布了:本申请涉及具有相对于彼此横向和垂直偏移的导电互连的组件。一些实施例包含具有包含第一电路的基座的集成组件。存储器叠层在所述基座上方。所述存储器叠层中的每一个具有与所述第一电路耦合的感测存取线。所述存储器叠层和所述基座通过间隙彼此垂直地间隔开。所述间隙在第一间隙与第二间隙之间在垂直方向上交替。重叠导电路径从所述感测存取线延伸到所述第一电路。所述导电路径包含所述第一间隙内的第一导电互连和所述第二间隙内的第二导电互连。所述第一导电互连和所述第二导电互连相对于彼此横向偏移。
本发明授权具有相对于彼此横向和垂直偏移的导电互连的组件在权利要求书中公布了:1.一种集成组件,其包括: 包括电路的基座; 从所述基座向上延伸的第一导电互连; 在所述基座上方并且包括第一导电线的第一层;所述第一导电线通过至少所述第一导电互连与所述电路耦合;所述第一导电线具有在所述第一导电互连正上方的第一区域、从所述第一区域横向偏移的第二区域,以及在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域; 直接连接到所述第一导电线的所述第二区域且从所述第一导电线的所述第二区域向上延伸的第二导电互连;以及 在所述第一层上方并且包括第二导电线的第二层;所述第二导电线通过至少所述第一导电互连、所述第一导电线的所述第三区域和所述第二导电互连与所述电路耦合。
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