爱思开海力士有限公司崔亨进获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110404666.3，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权存储器装置及其操作方法是由崔亨进设计研发完成，并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置可以包括多个存储器单元、外围电路和控制逻辑。外围电路被配置为对多个存储器单元当中的被选存储器单元执行针对多个编程状态当中的目标编程状态的编程验证操作。控制逻辑被配置为控制外围电路以在编程验证操作中对联接至被选存储器单元当中的第一存储器单元的位线和联接至被选存储器单元当中的第二存储器单元的位线进行预充电。第一存储器单元是被编程为多个编程状态当中的高于目标编程状态的编程状态的存储器单元当中的编程通过的存储器单元。第二存储器单元是被编程为多个编程状态当中的低于或等于目标编程状态的编程状态的存储器单元。
本发明授权存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，该存储器装置包括： 多个存储器单元； 外围电路，所述外围电路被配置为对所述多个存储器单元当中的被选存储器单元执行针对多个编程状态当中的目标编程状态的编程验证操作；以及 控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述编程验证操作中对与所述被选存储器单元当中的第一存储器单元联接的第一位线和与所述被选存储器单元当中的第二存储器单元联接的第二位线进行预充电，而不对与所述被选存储器单元当中的第三存储器单元联接的第三位线进行预充电， 其中，所述第一存储器单元是要被编程为所述多个编程状态当中的比所述目标编程状态具有更高的阈值电压的编程状态的存储器单元当中的编程通过的存储器单元，并且所述第三存储器单元是要被编程为所述多个编程状态当中的比所述目标编程状态具有更高的阈值电压的编程状态的存储器单元当中的编程失败的存储器单元，并且 其中，所述第二存储器单元是要被编程为所述多个编程状态当中的比所述目标编程状态具有更低的阈值电压的编程状态的存储器单元当中的编程失败的存储器单元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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