美光科技公司E·N·李获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利在存储器阵列下方具有后侧接合垫的存储器装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113990875B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110844079.6,技术领域涉及:H10B41/10;该发明授权在存储器阵列下方具有后侧接合垫的存储器装置是由E·N·李;合田晃设计研发完成,并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本在存储器阵列下方具有后侧接合垫的存储器装置在说明书摘要公布了:本申请涉及在存储器阵列下方具有后侧接合垫的存储器装置。提供了一种设备,其包括:衬底,其具有前侧和与所述前侧相对的后侧;控制电路系统,其安置在所述衬底的所述前侧上方;存储器阵列,其安置在所述控制电路系统上方并且电耦合到所述控制电路系统;穿硅通孔TSV,其安置在所述存储器阵列下方,所述TSV穿过所述衬底从所述控制电路系统延伸到所述衬底的所述后侧;以及接合垫,其安置在所述衬底的所述后侧上并且经由所述TSV电耦合到所述控制电路系统。
本发明授权在存储器阵列下方具有后侧接合垫的存储器装置在权利要求书中公布了:1.一种存储器设备,其包括: 衬底,其具有前侧和与所述前侧相对的后侧; 控制电路系统,其安置在所述衬底的所述前侧上方; 存储器阵列,其安置在所述控制电路系统上方并且电耦合到所述控制电路系统; 穿硅通孔TSV,其安置在所述存储器阵列下方,所述TSV穿过所述衬底从所述控制电路系统延伸到所述衬底的所述后侧;以及 接合垫,其安置在所述衬底的所述后侧上并且经由所述TSV电耦合到所述控制电路系统,其中在所述存储器设备的顶侧处不存在接合垫。
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