株式会社国际电气镰仓司获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、基板处理装置以及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110614176.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体器件的制造方法、基板处理装置以及记录介质是由镰仓司设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、基板处理装置以及记录介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种在配置多个基板载置面的类型的装置中能够应对每个基板载置面的环境的变化的技术。为了解决上述课题，提供一种基板处理装置，其具备：处理基板的处理容器；向所述处理容器供给气体的气体供给部；在所述处理容器内配置有多个的基板载置面；具有与所述基板载置面对应的多个分配管的气体供给部；检测所述分配管的气体供给量或者与所述基板载置面对应的部件的信息的检测部；基于检测出的所述信息判断状态等级的判断部；根据所述状态等级选择作为所述基板的移动目的地的所述基板载置面的选择部；以及控制各构成的控制部。
本发明授权半导体器件的制造方法、基板处理装置以及记录介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在将基板载置于在处理容器内配置有多个的基板载置面上的状态下经由分配管向所述处理容器供给气体的工序； 针对与所述基板载置面分别对应的每个部件，检测如下的信息的工序，所述信息为与所述基板载置面分别对应且因基板处理而劣化的部件、且针对每个基板载置面在性能上存在偏差的部件的运转信息或者与所述部件的运转开始时的性能进行比较的性能表现的信息； 基于检测出的所述信息判断所述基板载置面各自的状态等级的工序；以及 根据所述状态等级选择作为接下来搬入所述处理容器的所述基板的移动目的地的所述基板载置面的工序。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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