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龙图腾网获悉北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利封装天线及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111138566.7，技术领域涉及：H01Q1/12；该发明授权封装天线及其制备方法、电子设备是由郭俊伟;刘宗民;范西超;李伟;王亚丽;曲峰;李必奇设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装天线及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种封装天线及其制备方法、电子设备，该封装天线的制备方法，包括：通过三维打印工艺，形成介质基板，并在所述介质基板上依次形成天线单元和封装结构层；提供集成电路芯片，将所述集成电路芯片与所述天线单元连接。如此，可以有效地降低封装天线的生产成本，有利于产品大规模批量生产和应用。

本发明授权封装天线及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种封装天线的制备方法，其特征在于，包括： 通过三维打印工艺，形成介质基板，并在所述介质基板上依次形成天线单元和封装结构层； 提供集成电路芯片，将所述集成电路芯片与所述天线单元连接； 其中，所述形成介质基板包括：采用热塑性材料进行熔融沉积成型工艺，形成所述介质基板； 所述天线单元包括辐射层、第一天线介质层、馈线层、第二天线介质层和接地层；其中，所述辐射层和馈线层分别位于第一天线介质层的两侧，或，所述辐射层和馈线层位于第一天线介质层的靠近介质基板的一侧； 在所述辐射层和馈线层分别位于第一天线介质层的两侧的情况下，所述馈线层中的馈线经过所述第二天线介质层中的通孔采用斜面连接线方式与所述接地层连接；所述形成天线单元包括：采用金属浆料进行微点胶工艺，在介质基板的一侧形成辐射层；采用热塑性材料进行熔融沉积成型工艺，在辐射层的远离介质基板的一侧形成第一天线介质层；采用金属浆料进行微点胶工艺，在第一天线介质层的远离介质基板的一侧形成馈线层；采用热塑性材料进行熔融沉积成型工艺，在馈线层的远离介质基板的一侧形成第二天线介质层；采用金属浆料进行微点胶工艺，在第二天线介质层的远离介质基板的一侧形成接地层； 在所述辐射层和馈线层位于第一天线介质层的靠近介质基板的一侧的情况下，所述馈线层的一端与辐射层连接，所述馈线层的另一端经过所述第一天线介质层和所述第二天线介质层中的通孔采用斜面连接线方式与所述接地层连接；所述形成天线单元包括：采用金属浆料进行微点胶工艺，在介质基板的一侧形成辐射层和馈线层；采用热塑性材料进行熔融沉积成型工艺，在辐射层和馈线层的远离介质基板的一侧形成第一天线介质层；采用金属浆料进行微点胶工艺，在第一天线介质层的远离介质基板的一侧第二天线介质层；采用金属浆料进行微点胶工艺，在第二天线介质层的远离介质基板的一侧形成接地层； 所述封装结构层包括：位于所述天线单元的远离所述介质基板的一侧的封装介质层和信号线层；形成封装结构层包括：采用热塑性材料进行熔融沉积成型工艺，在所述天线单元的远离所述介质基板的一侧形成封装介质层；采用金属浆料进行微点胶工艺，形成信号线层。

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