世界先进积体电路股份有限公司林鑫成获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871474B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010608780.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构是由林鑫成;林志鸿;林柏亨设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构，包括：基底；通道层，位于基底上；阻障层，位于通道层上；源极结构及漏极结构，位于阻障层的两侧；掺杂化合物半导体层，位于阻障层上，掺杂化合物半导体层具有邻近源极结构的第一侧边、邻近漏极结构的第二侧边、以及至少一开口，此至少一开口露出阻障层的至少一部分；介电层，位于掺杂化合物半导体层及阻障层上；以与门极结构，位于掺杂化合物半导体层上。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一基底； 一通道层，位于所述基底上； 一阻障层，位于所述通道层上； 一源极结构及一漏极结构，位于所述阻障层的两侧； 一掺杂化合物半导体层，位于所述阻障层上，所述掺杂化合物半导体层具有邻近所述源极结构的一第一侧边以及邻近所述漏极结构的一第二侧边，且所述掺杂化合物半导体层具有至少一开口，所述至少一开口露出所述阻障层的至少一部分，其中所述掺杂化合物半导体层的材料包括GaN； 一介电层，位于所述掺杂化合物半导体层及所述阻障层上；以及 一栅极结构，位于所述掺杂化合物半导体层上且电性地连接至所述掺杂化合物半导体层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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