日月光半导体制造股份有限公司蔡骐隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利扇入型半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110771033.6，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权扇入型半导体封装装置及其制造方法是由蔡骐隆;陈嘉滨;邱琬婷;田佳升设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本扇入型半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了扇入型半导体封装装置及其制造方法，通过设计芯片的导电柱和导电垫不重叠，即分开设计导电柱和导电垫，可以避免放置芯片的力量较大可能导致的线路断裂和脱层的问题；通过设计缓冲层，在后续将扇入型半导体封装装置设置到衬底例如，基板、主板、印刷线路板等的过程中，焊料凸块的应力可以通过缓冲层进行释放，进而减少焊料凸块断裂的风险，提高产品可靠性。
本发明授权扇入型半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种扇入型半导体封装装置，包括： 芯片，所述芯片有源面设置有导电垫； 第一重布线层，设置于所述芯片有源面，且电连接所述导电垫； 导电柱，设置于所述第一重布线层且电连接所述第一重布线层，所述导电柱的水平投影与所述芯片有源面设置的导电垫的水平投影之间不重叠； 模封层，包覆所述芯片、所述第一重布线层和所述导电柱，且所述导电柱从所述模封层上表面暴露； 缓冲层，设置于所述导电柱上，且所述缓冲层设置有开口； 焊料凸块，设置于所述缓冲层上且通过所述开口电连接所述导电柱； 凸块下金属，设置于所述焊料凸块与所述缓冲层之间，且分别电连接所述焊料凸块和所述导电柱； 其中，在将所述扇入型半导体封装装置设置到衬底的过程中，所述焊料凸块的应力通过所述缓冲层进行释放。
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