三星电子株式会社张志熏获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110256957.2，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由张志熏;崔智旻;李瑌真;张贤禹;韩正勋设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了半导体装置及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成通路；在所述第一电介质层上顺序地形成第一金属图案、第一金属氧化物图案、第二金属图案和抗反射图案；和执行退火工艺以使所述第一金属氧化物图案和所述第二金属图案彼此反应以形成第二金属氧化物图案。形成所述第二金属氧化物图案包括通过所述第二金属图案的金属元素与所述第一金属氧化物图案的氧元素之间的反应来形成所述第二金属氧化物图案。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括： 在衬底上形成第一电介质层； 在所述第一电介质层中形成通路； 在所述第一电介质层上顺序地形成第一金属图案、第一金属氧化物图案、第二金属图案和抗反射图案；和 执行退火工艺以使所述第一金属氧化物图案和所述第二金属图案彼此反应以形成第二金属氧化物图案， 其中，形成所述第二金属氧化物图案包括通过所述第二金属图案的金属元素与所述第一金属氧化物图案的氧元素之间的反应来形成所述第二金属氧化物图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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