三星电子株式会社金孝燮获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011481686.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权半导体存储器器件及其制造方法是由金孝燮;朴素贤;金大元;金桐;金恩娥;朴哲权;朴台镇;李基硕;韩成熙设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体存储器器件。所述器件可以包括：第一杂质区域和第二杂质区域，设置在衬底中且彼此间隔开，所述第二杂质区域具有比所述第一杂质区域高的顶表面；器件隔离图案，介于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间；第一接触塞，与所述第一杂质区域接触并具有比所述第二杂质区域的顶表面低的底表面；间隙填充绝缘图案，介于所述第一接触塞与所述第二杂质区域之间；第一保护间隔物，介于所述间隙填充绝缘图案与所述第二杂质区域之间；以及第一间隔物，与所述第一接触塞的侧表面和所述器件隔离图案接触，并且介于所述第一保护间隔物与所述间隙填充绝缘图案之间。
本发明授权半导体存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器器件，包括： 第一杂质区域和第二杂质区域，设置在衬底中且彼此间隔开，所述第二杂质区域的顶表面比所述第一杂质区域的顶表面高； 器件隔离图案，介于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间； 第一接触塞，与所述第一杂质区域接触，并且具有比所述第二杂质区域的顶表面低的底表面； 间隙填充绝缘图案，介于所述第一接触塞与所述第二杂质区域之间； 第一保护间隔物，介于所述间隙填充绝缘图案与所述第二杂质区域之间；以及 第一间隔物，与所述第一接触塞的侧表面和所述器件隔离图案接触，并且介于所述第一保护间隔物与所述间隙填充绝缘图案之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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