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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110198791.3，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权半导体存储器件及其制造方法是由金嘉银;孙仑焕;朴珠希;赵晟元设计研发完成，并于2021-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体存储器件和用于制造半导体存储器件的方法，所述器件包括：位于衬底上的外围逻辑结构；位于所述外围逻辑结构上的水平导电衬底；包括沿垂直方向堆叠的多个电极焊盘的堆叠结构；连接到所述水平导电衬底的板接触插塞；以及连接到所述下连接布线主体的第一穿透电极，其中，所述板接触插塞的上表面和所述第一穿透电极的上表面位于同一平面上，所述板接触插塞包括彼此直接连接的上部和下部，所述第一穿透电极包括彼此直接连接的上部和下部，远离所述板接触插塞的所述上表面和所述第一穿透电极的所述上表面移动，所述上部的宽度增大并且所述下部的宽度减小。

本发明授权半导体存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括： 外围逻辑结构，所述外围逻辑结构包括外围电路和下连接布线主体，所述外围逻辑结构位于衬底上； 水平导电衬底，所述水平导电衬底位于所述外围逻辑结构上； 堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述水平导电衬底上沿垂直方向堆叠的多个电极焊盘； 板接触插塞，所述板接触插塞连接到所述水平导电衬底，沿所述垂直方向延伸，并且设置在沿与所述垂直方向正交的第一水平方向上延伸的第一区域中； 第一穿透电极，所述第一穿透电极连接到所述下连接布线主体，沿所述垂直方向延伸，并且设置在沿所述第一水平方向延伸的第二区域中，其中，所述第一区域比所述第二区域更靠近所述堆叠结构；以及 第二穿透电极，所述第二穿透电极穿透所述堆叠结构，连接到所述下连接布线主体，并且设置在沿与所述第一水平方向和所述垂直方向垂直的第二水平方向延伸的第三区域中， 其中： 所述板接触插塞的上表面和所述第一穿透电极的上表面位于同一平面上， 所述板接触插塞包括彼此直接连接的上部和下部， 所述第一穿透电极包括彼此直接连接的上部和下部， 沿所述垂直方向远离所述第一穿透电极的所述上表面移动，在所述第二水平方向上测量的所述第一穿透电极的所述上部的宽度增大， 沿所述垂直方向远离所述板接触插塞的所述上表面移动，在所述第二水平方向上测量的所述板接触插塞的所述上部的宽度增大， 沿所述垂直方向远离所述板接触插塞的所述上表面移动，在所述第二水平方向上测量的所述板接触插塞的所述下部的宽度减小，并且 沿所述垂直方向远离所述第一穿透电极的所述上表面移动，在所述第二水平方向上测量的所述第一穿透电极的所述下部的宽度减小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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