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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利具有鳍式场效应晶体管结构和HKMG存储器和逻辑栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980079190.1，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权具有鳍式场效应晶体管结构和HKMG存储器和逻辑栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法是由周锋;金珍浩;X·刘;S·乔尔巴;C·德科贝尔特;N·多设计研发完成，并于2019-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有鳍式场效应晶体管结构和HKMG存储器和逻辑栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备具有多个向上延伸的半导体衬底鳍、形成在第一鳍上的存储器单元以及形成在第二鳍上的逻辑器件。存储器单元包括：位于第一鳍中的源极区和漏极区，其间具有沟道区；多晶硅浮栅，该多晶硅浮栅沿包括第一鳍的侧表面和顶表面的沟道区的第一部分延伸；金属选择栅，该金属选择栅沿包括第一鳍的侧表面和顶表面的沟道区的第二部分延伸；多晶硅控制栅，该多晶硅控制栅沿浮栅延伸；和多晶硅擦除栅，该多晶硅擦除栅沿源极区延伸。逻辑器件包括：位于第二鳍中的源极区和漏极区，其间具有第二沟道区；和金属逻辑栅，该金属逻辑栅沿包括第二鳍的侧表面和顶表面的第二沟道区延伸。

本发明授权具有鳍式场效应晶体管结构和HKMG存储器和逻辑栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有上表面，所述上表面具有多个向上延伸的鳍，其中所述鳍中的每个鳍包括彼此相对并且终止于顶表面的第一侧表面和第二侧表面； 存储器单元，所述存储器单元形成在所述多个鳍中的第一鳍上，所述存储器单元包括： 第一源极区和第一漏极区，所述第一源极区和所述第一漏极区在所述第一鳍中间隔开，其中所述第一鳍的第一沟道区沿所述第一鳍的所述顶表面和所述相对的侧表面在所述第一源极区和所述第一漏极区之间延伸， 多晶硅材料的浮栅，所述多晶硅材料的浮栅沿所述第一沟道区的第一部分延伸，其中所述浮栅缠绕在所述第一鳍周围以使所述浮栅与所述第一鳍的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述顶表面相邻并绝缘， 金属材料的选择栅，所述金属材料的选择栅沿所述第一沟道区的第二部分延伸，其中所述选择栅缠绕在所述第一鳍周围以使所述选择栅与所述第一鳍的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述顶表面相邻并绝缘， 多晶硅材料的控制栅，所述多晶硅材料的控制栅沿所述浮栅延伸并与所述浮栅绝缘，和 多晶硅材料的擦除栅，所述多晶硅材料的擦除栅沿所述第一源极区延伸并与所述第一源极区绝缘； 逻辑器件，所述逻辑器件形成在所述多个鳍的第二鳍上，所述逻辑器件包括： 第二源极区和第二漏极区，所述第二源极区和所述第二漏极区在所述第二鳍中间隔开，其中所述第二鳍的第二沟道区沿所述第二鳍的所述顶表面和所述相对的侧表面在所述第二源极区和所述第二漏极区之间延伸，和 金属材料的第一逻辑栅，所述金属材料的第一逻辑栅沿所述第二沟道区延伸，其中所述第一逻辑栅缠绕在所述第二鳍周围以使所述第一逻辑栅与所述第二鳍的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述顶表面相邻并绝缘。

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