国际商业机器公司J.皮尔获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利利用堆栈的垂直装置的微电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113016076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980074877.6，技术领域涉及：H10D48/36；该发明授权利用堆栈的垂直装置的微电子装置是由J.皮尔;A.弗里施;T.沃纳;R.索特;D.温德尔设计研发完成，并于2019-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用堆栈的垂直装置的微电子装置在说明书摘要公布了：实施例可以包括微电子器件。微电子器件可以包括垂直堆叠并且串联连接的第一对晶体管。第一对晶体管中的每个晶体管是相同类型的。微电子器件可以包括并联连接的第二对晶体管。第二对晶体管是与第一对晶体管不同的类型。第一对晶体管和第二对晶体管被布置为基本上垂直于多个层。
本发明授权利用堆栈的垂直装置的微电子装置在权利要求书中公布了：1.一种包括多个层的微电子器件，所述微电子器件包括： 垂直堆叠且串联连接的第一对晶体管，所述第一对晶体管中的每一者是相同的类型；以及 第二对晶体管，所述第二对晶体管并联连接并且布置在所述多个层中的同一层中，所述第二对晶体管是与所述第一对晶体管不同的类型，其中所述第二对晶体管与第一对晶体管串联连接，并且其中所述第二对晶体管由被布置在所述同一层中的内部连接元件连接在一起， 其中所述第一对晶体管和所述第二对晶体管被布置为垂直于所述多个层， 其中所述第一对晶体管中的第一晶体管的栅极和所述第二对晶体管中的第一晶体管的栅极彼此连接，并且对应于所述微电子器件的第一输入，其中所述第一对晶体管中的所述第一晶体管的栅极和所述第二对晶体管中的所述第一晶体管的栅极被布置在所述微电子器件的所述同一层中， 其中所述第一对晶体管中的第二晶体管的栅极和所述第二对晶体管中的第二晶体管的栅极彼此连接，并且对应于所述微电子器件的第二输入，其中所述第一对晶体管中的所述第二晶体管的所述栅极和所述第二对晶体管中的所述第二晶体管的所述栅极被布置在所述微电子器件的所述多个层中的不同层中，以及 其中所述第一对晶体管和第二对晶体管的沟道区域设置在包括所述微电子器件的VDD电源轨和接地电源轨的层和包括所述微电子器件的信号互连导体的层之间的层中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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