三星电子株式会社阿图尔·安东尼安获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利磁存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111798895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010098053.7，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权磁存储装置是由阿图尔·安东尼安设计研发完成，并于2020-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储装置在说明书摘要公布了：一种磁存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括磁存储单元；电压生成器，所述电压生成器被配置为生成栅极电压；行译码器，所述行译码器包括字线驱动器，所述字线驱动器被配置为通过从所述电压生成器生成的所述栅极电压来驱动，所述行译码器通过字线连接到所述存储单元阵列；列译码器，所述列译码器通过多条位线和多条源极线连接到所述存储单元阵列；以及写入驱动器，所述写入驱动器被配置为将写入电压传送到由所述列译码器从所述多条位线选择的位线，所述写入驱动器通过从所述电压生成器生成的所述栅极电压来驱动。
本发明授权磁存储装置在权利要求书中公布了：1.一种磁存储装置，包括： 存储单元阵列，所述存储单元阵列包括磁存储单元； 电压生成器，所述电压生成器被配置为生成栅极电压； 行译码器，所述行译码器包括字线驱动器，所述字线驱动器被配置为通过从所述电压生成器生成的所述栅极电压来驱动，所述行译码器通过字线连接到所述存储单元阵列； 列译码器，所述列译码器通过多条位线和多条源极线连接到所述存储单元阵列；以及 写入驱动器，所述写入驱动器被配置为将写入电压传送到由所述列译码器从所述多条位线选择的位线，所述写入驱动器通过从所述电压生成器生成的所述栅极电压来驱动，其中， 所述电压生成器包括第一晶体管和第二晶体管， 所述第一晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极被配置为接收所述栅极电压， 所述第一晶体管的所述第一栅极连接到所述写入驱动器，并且 所述第二晶体管的所述第二栅极连接到所述字线驱动器。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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