三星电子株式会社都桢湖获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括沟道间距可变的晶体管的集成电路器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111696986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010155202.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权包括沟道间距可变的晶体管的集成电路器件是由都桢湖;宋昇炫设计研发完成，并于2020-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括沟道间距可变的晶体管的集成电路器件在说明书摘要公布了：集成电路器件可以包括在一个方向上彼此间隔开的有源区。有源区可以包括第一对有源区、第二对有源区和第三对有源区。第一对有源区可以在所述方向上彼此间隔开第一距离，第二对有源区可以在所述方向上彼此间隔开第一距离，且第三对有源区可以在所述方向上彼此间隔开第一距离。第二对有源区可以在所述方向上与第一对有源区和第三对有源区间隔开第二距离，并且第一距离可以短于第二距离。
本发明授权包括沟道间距可变的晶体管的集成电路器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 在第一方向上彼此间隔开的多个有源区，所述多个有源区中的每个有源区从衬底的上表面突出；以及 第一底部源漏区，在所述衬底上， 其中，所述多个有源区包括第一对有源区、第二对有源区和第三对有源区，并且所述第一对有源区、所述第二对有源区和所述第三对有源区在所述第一方向上彼此间隔开并且沿所述第一方向顺序布置， 其中，所述第一对有源区在所述第一方向上彼此间隔开第一距离，所述第二对有源区在所述第一方向上彼此间隔开所述第一距离，并且所述第三对有源区在所述第一方向上彼此间隔开所述第一距离， 其中，所述第一对有源区在所述第一方向上与所述第二对有源区间隔开第二距离，并且所述第二对有源区在所述第一方向上与所述第三对有源区间隔开所述第二距离， 其中，所述第一距离短于所述第二距离， 其中，所述第一对有源区包括第一有源区和在所述第一方向上与所述第一有源区间隔开所述第一距离的第二有源区，以及 其中，所述集成电路器件包括第一竖直场效应晶体管VFET，所述第一竖直场效应晶体管包括所述第一对有源区中的所述第一有源区和所述第一底部源漏区，并且所述第一对有源区中的所述第二有源区是虚设有源区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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