半导体元件工业有限责任公司M·J·塞登获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利形成背面金属的方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111477544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911387240.0，技术领域涉及：H10P14/22；该发明授权形成背面金属的方法和系统是由M·J·塞登设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成背面金属的方法和系统在说明书摘要公布了：本发明题为“形成背面金属的方法和系统”。公开了在半导体晶片上形成金属层的方法的具体实施，该方法可包括：将半导体晶片放置到蒸发器圆顶中，以及将材料添加到与半导体晶片相距预定距离的坩埚中。该半导体晶片可具有小于39微米的平均厚度。该方法还可包括将坩埚中的材料加热成蒸气并将材料沉积在半导体晶片的第二侧面上。
本发明授权形成背面金属的方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种在半导体晶片上形成金属层的方法，所述方法包括： 将半导体晶片放置到蒸发器圆顶中，所述半导体晶片具有小于10微米的平均厚度； 将材料添加到与所述半导体晶片相距预定距离的坩埚中； 将所述坩埚中的所述材料加热成蒸气； 将所述材料沉积在所述半导体晶片的第二侧面上； 利用所述晶片的第一侧面上的对准特征对所述晶片进行对准；以及 从所述晶片的第二侧面切割所述晶片。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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