台湾积体电路制造股份有限公司吴政宪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有接触场板的半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223993841U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520659891.5，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型具有接触场板的半导体装置是由吴政宪;江文智;褚立新;吴晟炜设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有接触场板的半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置包括主体区域及漂移区域在基板上、源极结构、漏极结构、栅极结构、层间介电层、多个接触场板触点及后道工序结构。源极结构设置在主体区域内及漏极结构设置在漂移区域内。栅极结构包括栅极电极设置在主体区域及漂移区域上及介电层设置在栅极电极及漂移区域上。层间介电层设置在基板上。具有至少第一排及第二排的接触场板触点在介电层上的层间介电层内，其中接触场板触点中的每一者被配置成操纵由栅极结构产生的电场。后道工序结构设置在层间介电层上且包括至少一导电金属层将接触场板触点的第一排及第二排耦合到源极结构。
本实用新型具有接触场板的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一主体区域及一漂移区域在一基板上； 一源极结构设置在该主体区域内及一漏极结构设置在该漂移区域内； 一栅极结构包括一栅极电极设置在该主体区域及该漂移区域上及一介电层设置在该栅极电极及该漂移区域上； 一层间介电层设置在该基板上； 具有至少一第一排及一第二排的多个接触场板触点在该介电层上的该层间介电层内，其中所述多个接触场板触点中的每一者被配置成操纵由该栅极结构产生的一电场；以及 一后道工序结构设置在该层间介电层上且包括至少一导电金属层将所述多个接触场板触点的该第一排及该第二排耦合到该源极结构。
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