台湾积体电路制造股份有限公司吴永俊获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223993840U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520490094.9，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体元件是由吴永俊;侯福居;林宜玟;林善雯设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件在说明书摘要公布了：一种半导体元件包含具有n型导电性的第一晶体管位于基板上方以及具有p型导电性第二晶体管垂直位于第一晶体管上方。第一晶体管包含第一半导体层及第一栅极结构，第一半导体层包含第一通道区域及第一源极漏极区域，第一栅极结构在第一半导体层的第一通道区域之上。第二晶体管包含第二通道区域及第二源极漏极区域的第二半导体层，以及在第二半导体的第二通道区域上的第二栅极结构。第一介电层覆盖第一晶体管及第二晶体管。第二介电层位于该一介电层上方。第三介电层接触第一介电层和第二介电层。
本实用新型半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 具有n型导电性的一第一晶体管，其在一基板上且包含： 一第一半导体层，包含一第一通道区域及多个第一源极漏极区域；以及 在该第一半导体层的该第一通道区域之上的一第一栅极结构； 具有p型导电性的一第二晶体管，其垂直地位于该第一晶体管之上且包含： 一第二半导体层，其包含一第二通道区域及多个第二源极漏极区域；及 在该第二半导体层的该第二通道区域上的一第二栅极结构； 一第一介电层，覆盖该第一晶体管及该第二晶体管； 一第二介电层，位于该第一介电层上方；以及 一第三介电层，接触该第一介电层和该第二介电层。
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