台湾积体电路制造股份有限公司庄宗翰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223993839U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520017564.X，技术领域涉及：H10D84/82；该实用新型半导体结构是由庄宗翰;张荣宏;蔡佳澄;陈仕承;江国诚;王志豪设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型实施例涉及一种半导体结构，其包含多个纳米片、栅极结构、SD结构、阶梯结构及侧壁间隔件。多个纳米片放置于衬底上方，其中衬底沿第一方向延伸，且所述纳米片沿基本上垂直于第一方向的第二方向布置。栅极结构放置于衬底上方，其中栅极结构放置于所述纳米片之间且环绕所述纳米片。SD结构相邻于栅极结构及多个纳米片放置。阶梯结构放置于SD结构下方，其中阶梯结构沿第一方向与所述纳米片中的至少一者重叠。侧壁间隔件放置于阶梯结构与所述纳米片中的至少一者之间。还提供一种制造半导体结构的方法。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于其包括： 多个纳米片，其放置于衬底上方，其中所述衬底沿第一方向延伸，且所述纳米片沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向布置； 栅极结构，其放置于所述衬底上方，其中所述栅极结构放置于所述纳米片之间且环绕所述纳米片； SD结构，其相邻于所述栅极结构及所述多个纳米片放置； 阶梯结构，其放置于所述SD结构下方，其中所述阶梯结构沿所述第一方向与所述纳米片中的至少一者重叠；及 侧壁间隔件，其放置于所述阶梯结构与所述纳米片中的所述至少一者之间。
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