台湾积体电路制造股份有限公司杜瑞奇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223993837U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520612467.5，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由杜瑞奇;邱日照;刘原铭;吴宇珊;刘致为设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括基板。氧化物半导体通道层位该基板上方。栅极结构位于该氧化物半导体通道层上方。该栅极结构包括位于氧化物半导体通道层上方的氧化物半导体阻障层、位于该氧化物半导体阻障层上方的栅极介电层及位于该栅极介电层上方的栅极金属。源漏电极与该氧化物半导体通道层的两端接触。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一基板； 一氧化物半导体通道层，位于该基板上方； 一栅极结构，位于该氧化物半导体通道层上方且包含： 一氧化物半导体阻障层，位于该氧化物半导体通道层上方； 一栅极介电层，位于该氧化物半导体阻障层上方；以及 一栅极金属，位于该栅极介电层上方；以及 多个源漏电极，与该氧化物半导体通道层的两端接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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