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龙图腾网获悉西安中熔电气股份有限公司申请的专利一种提高导热性能的自激励熔断器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223993254U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520623269.9，技术领域涉及：H01H85/42；该实用新型一种提高导热性能的自激励熔断器是由石晓光;王立强;王晨设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高导热性能的自激励熔断器在说明书摘要公布了：一种提高导热性能的自激励熔断器，包括高导热、高强度且绝缘的外壳，依次串联连接的第一导体、信号熔体、导电排及第二导体，灭弧熔体、点火装置及切断件；在外壳中设置一端开口另一端封闭的位移通道，开口端位于外壳壳壁处，位移通道与外壳之间填充导热的灭弧介质，信号熔体、灭弧熔体、导电排位于灭弧介质中，且导电排穿过位移通道；点火装置螺纹连接在位移通道的开口端处，切断件位于位移通道中；灭弧熔体并联连接在导电排上；信号熔体与点火装置串联在自激励触发回路中，信号熔体导通，自激励触发回路不导通，当信号熔体熔断，自激励触发回路导通为点火装置发送触发信号。本发明通过外壳和灭弧介质散热，且方便更换点火装置。

本实用新型一种提高导热性能的自激励熔断器在权利要求书中公布了：1.一种提高导热性能的自激励熔断器，其特征在于，包括高导热、高强度且绝缘的外壳，依次串联连接的第一导体、信号熔体、导电排及第二导体，灭弧熔体、点火装置及切断件；所述第一导体和第二导体分别穿设在所述外壳中作为所述自激励熔断器的连接端；在所述外壳中设置一端开口、另一端封闭的位移通道，所述位移通道的开口端位于所述外壳壳壁处与外部连通，所述位移通道的封闭端位于所述外壳中；所述位移通道与所述外壳之间设置为填充导热的灭弧介质的灭弧腔室，所述灭弧介质与所述外壳直接接触；所述信号熔体、灭弧熔体、导电排位于所述灭弧介质中，且所述导电排穿过所述位移通道；所述点火装置位于所述外壳外部，通过螺纹连接固定在所述位移通道的开口端处，所述切断件位于所述导电排与所述点火装置之间的所述位移通道中；所述灭弧熔体并联连接在所述位移通道两侧的所述导电排上；所述信号熔体所在的导电回路与所述点火装置的触发信号接收端导电连接形成自激励触发回路，当信号熔体导通时，所述自激励触发回路不导通，当所述信号熔体熔断，所述自激励触发回路导通，为所述点火装置发送触发信号，所述点火装置动作，驱动所述切断件沿着所述位移通道位移切断所述导电排后，所述灭弧熔体熔断。

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