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西安聚能超导磁体科技股份有限公司葛正福获国家专利权

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龙图腾网获悉西安聚能超导磁体科技股份有限公司申请的专利一种磁控直拉单晶硅用超导磁体结构及保护装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223993188U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202620020935.4,技术领域涉及:H01F6/06;该实用新型一种磁控直拉单晶硅用超导磁体结构及保护装置是由葛正福;王建斌;司周;张弛;韩志晨;高伟;张文涛;李勇;刘伟;李超设计研发完成,并于2026-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

一种磁控直拉单晶硅用超导磁体结构及保护装置在说明书摘要公布了:本实用新型超导设备技术领域,公开了一种磁控直拉单晶硅用超导磁体结构及保护装置。该超导磁体结构包括磁屏蔽真空腔、冷屏、超导线圈固定圆筒以及由MgB2超导材料绕制的四个呈圆弧形且对称分布的超导线圈,超导线圈通过特定角度排布,优化了磁场利用率与机械稳定性。保护装置包括超导电源、可编程控制器和外保护电阻箱。该外保护电阻箱采用多段电阻与切断开关并联的结构,可由可编程控制器根据工作电流或失超信号精确控制投入的电阻值,实现能量释放速度的分级控制。本实用新型有效降低了MgB2超导磁体失超后的温升,显著缩短了系统恢复时间,提高了磁控直拉单晶硅生产设备的可靠性和生产效率。

本实用新型一种磁控直拉单晶硅用超导磁体结构及保护装置在权利要求书中公布了:1.一种磁控直拉单晶硅用超导磁体结构,其特征在于,包括: 磁屏蔽真空腔105,其内部为真空密封环境; 设置在所述磁屏蔽真空腔105内部的冷屏104; 设置在所述冷屏104内部的超导线圈固定圆筒101; 以及,通过超导线圈外圆弧压板103固定于所述超导线圈固定圆筒101上的至少四个超导线圈102; 其中,所述超导线圈102呈圆弧形; 所述至少四个超导线圈102包括在机械位置上两两对称分布的第一线圈102A和第二线圈102B以及第三线圈102C和第四线圈102D; 还包括至少两台设置于磁屏蔽真空腔105顶部的制冷机107,所述制冷机107用于冷却超导线圈102; 所述制冷机107包括第一制冷机107A和第二制冷机107B,所述第一制冷机107A和第二制冷机107B分别用于冷却邻近的2个超导线圈102,其中第一制冷机107A用于冷却所述第一线圈102A和第二线圈102B,第二制冷机107B用于冷却所述第三线圈102C和第四线圈102D。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安聚能超导磁体科技股份有限公司,其通讯地址为:710075 陕西省西安市西咸新区泾河新城正阳大道北段2000号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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