齐鲁理工学院孔震获国家专利权
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龙图腾网获悉齐鲁理工学院申请的专利一种阴阳离子双空位修饰的锡铋双金属氧硫化物电极材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121416481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511985932.0，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种阴阳离子双空位修饰的锡铋双金属氧硫化物电极材料及其制备方法与应用是由孔震;张浩浩;安娟;杨敏;庞明远;苏一苹设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阴阳离子双空位修饰的锡铋双金属氧硫化物电极材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阴阳离子双空位修饰的锡铋双金属氧硫化物电极材料及其制备方法与应用，属于电池材料技术领域。锡铋双金属氧硫化物电极材料为Bi2S3@Sn0.904O2异质结，Sn0.904O2纳米颗粒负载于Bi2S3纳米棒上；Bi2S3纳米棒中含有硫阴离子空位，Sn0.904O2纳米颗粒中含有锡阳离子空位。本发明通过调控水热反应过程中的诱导剂和后续煅烧工艺，制备得到锡阳离子空位和硫阴离子空位修饰的Bi2S3@Sn0.904O2异质结。将该材料应用于锂离子电池负极时，能有效缓解锡基氧硫化物的体积膨胀，提高电极材料导电性，且表现出高充放电比容量、优异的倍率性能和大倍率长循环稳定性能。
本发明授权一种阴阳离子双空位修饰的锡铋双金属氧硫化物电极材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种阴阳离子双空位修饰的锡铋双金属氧硫化物电极材料，其特征在于，所述锡铋双金属氧硫化物电极材料为Bi2S3@Sn0.904O2异质结，Sn0.904O2纳米颗粒负载于Bi2S3纳米棒上；所述Bi2S3纳米棒中含有硫阴离子空位，所述Sn0.904O2纳米颗粒中含有锡阳离子空位； 所述阴阳离子双空位修饰的锡铋双金属氧硫化物电极材料由以下方法制备： 1将硫化铋纳米棒分散到去离子水中，随后依次加入锡盐、硫代乙酰胺和聚乙烯吡咯烷酮并混合均匀，然后进行水热反应，收集产物，洗涤、干燥后得到固体粉末； 2将固体粉末在保护气氛下煅烧，得到阴阳离子双空位修饰的锡铋双金属氧硫化物电极材料；所述煅烧的温度为550℃，时间为2~3h。
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