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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利用于对晶圆进行缺陷检测的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511851120.7，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权用于对晶圆进行缺陷检测的方法及装置是由潘荣辉;李佛富;李建政;叶凡;杜悦珲设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于对晶圆进行缺陷检测的方法及装置在说明书摘要公布了：本披露公开了一种用于对晶圆进行缺陷检测的方法及装置，该方法包括：在待检测晶圆中查找出符合设计规则的多个第一晶粒；从所述多个第一晶粒中筛选出无缺陷的多个第二晶粒；基于所述多个第二晶粒中每个单元的灰度值，确定标准晶粒中每个标准单元的标准灰度值；基于所述标准晶粒中每个标准单元的标准灰度值，将所述待检测晶圆中的各晶粒与所述标准晶粒进行一一对比，确定所述待检测晶圆是否存在渐变性缺陷，以及在存在渐变性缺陷的情况下，确定渐变性缺陷的渐变方向和渐变趋势，以实现对所述待检测晶圆的缺陷检测。利用本披露的方案，能够检测出晶圆中的渐变性缺陷，保障晶圆生成的质量与效益。

本发明授权用于对晶圆进行缺陷检测的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种用于对晶圆进行缺陷检测的方法，其特征在于，包括： 在待检测晶圆中查找出符合设计规则的多个第一晶粒； 从所述多个第一晶粒中筛选出无缺陷的多个第二晶粒； 基于所述多个第二晶粒中每个单元的灰度值，确定标准晶粒中每个标准单元的标准灰度值； 基于所述标准晶粒中每个标准单元的标准灰度值，将所述待检测晶圆中的各晶粒与所述标准晶粒进行一一对比，确定所述待检测晶圆是否存在渐变性缺陷，以及在存在渐变性缺陷的情况下，确定渐变性缺陷的渐变方向和渐变趋势，以实现对所述待检测晶圆的缺陷检测； 其中，在待检测晶圆中查找出符合设计规则的多个第一晶粒包括： 在所述待检测晶圆上均匀选择多个测量点，并对所述多个测量点分别进行套刻误差、特征尺寸和膜厚的测量，以获得各测量点的测量结果，该测量结果包括套刻误差测量值、特征尺寸测量值和膜厚测量值； 将各测量点的测量结果与设计规则中的套刻误差要求、特征尺寸合规范围和膜厚合规范围分别进行比较，以确定各测量点是否符合设计规则； 将符合设计规则的各测量点所在的各晶粒均确定为第一晶粒。

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