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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种电吸收调制半导体激光器的制作方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121261202B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511818631.9，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种电吸收调制半导体激光器的制作方法及结构是由赵自闯;付文锋设计研发完成，并于2025-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电吸收调制半导体激光器的制作方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电吸收调制半导体激光器的制作方法及结构，该方法包括：在衬底表面依次生长第一光栅层、间隔层和有源材料层后，选择性去除调制器区的有源材料层，并在调制器区生长波导层，在激光器区内制作第一控制光栅、调制器区内制作第二控制光栅；在整体表面生长调制器材料层和第二光栅层，选择性去除激光器区的调制器材料层；最后在器件整体表面生长包层材料和接触层材料，完成激光器的制作。本发明通过在调制器区制作光栅，将入射到调制器中的光衍射至垂直于衬底表面的方向传播，使激光器具有面发射性，方便芯片的测试和表征；通过第一、第二光栅层形成两个反射镜，光在反射镜之间来回反射，在较小的调制器面积下获得较高的吸收效率。

本发明授权一种电吸收调制半导体激光器的制作方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种电吸收调制半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括： 将衬底划分为激光器区和调制器区，在衬底表面依次生长第一光栅层、间隔层和有源材料层； 选择性去除调制器区的有源材料层； 在调制器区的表面对接生长波导层； 在激光器区内的有源材料层中制作第一控制光栅，在调制器区内的波导层内制作第二控制光栅；所述第一控制光栅用于利用分布反馈作用使激光器实现预设波长的单纵模工作；所述第二控制光栅用于将入射光衍射至垂直于衬底表面的方向进行传输； 在激光器区及调制器区的表面依次生长调制器材料层和第二光栅层； 选择性去除激光器区的调制器材料层和第二光栅层；剩余的第二光栅层和所述第一光栅层形成反射镜，使光在反射镜之间来回反射； 在器件整体的表面依次生长包层材料和接触层材料，完成激光器的制作；所述第一光栅层和第二光栅层均为DBR光栅结构，第一光栅层和第二光栅层均包括多对折射率高低交替生长的材料。

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