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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利用于改善镀膜均匀性的调节挡片及氧化钒薄膜沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121250300B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511835360.8，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权用于改善镀膜均匀性的调节挡片及氧化钒薄膜沉积设备是由张陈斌;葛青涛;欧阳军晨;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于改善镀膜均匀性的调节挡片及氧化钒薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于改善镀膜均匀性的调节挡片及氧化钒薄膜沉积设备，调节挡片包括挡片本体，挡片本体设于氧化钒薄膜沉积设备的气嘴上方、并位于靶材与载台之间，挡片本体上开设有多个通孔，多个通孔在挡片本体上呈非均匀分布，且通孔的分布密度、尺寸与无挡片时沉积所得的氧化钒薄膜的厚度分布呈负相关，通孔能精准解决氧化钒薄膜厚度不均、电阻不均的问题，且调节挡片的运用无需依赖温度、压力等全局工艺参数，突破了现有技术优化窗口狭窄的瓶颈；氧化钒薄膜沉积设备通过运用调节挡片，一方面无需对设备现有的核心部件进行大规模改造，另一方面能精准解决传统设备中薄膜中间厚、边缘薄的厚度不均问题与中心氧高、边缘氧低的电阻不均问题。

本发明授权用于改善镀膜均匀性的调节挡片及氧化钒薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种用于改善镀膜均匀性的调节挡片，其特征在于，包括挡片本体10，所述挡片本体10设于氧化钒薄膜沉积设备的气嘴2上方、并位于靶材3和载台4之间； 所述挡片本体10上开设有多个通孔11，多个所述通孔11在所述挡片本体10上呈非均匀分布，且所述通孔11的分布密度、尺寸与无挡片时沉积所得的氧化钒薄膜的厚度分布呈负相关； 所述挡片本体10能够通过部分阻挡溅射材料、并调节反应气体在晶圆上方的空间浓度分布，改善薄膜厚度和电阻的均匀性； 所述挡片本体10的中部对应处于所述载台4上的晶圆的中心区域，所述挡片本体10的边部对应处于所述载台4上的晶圆的边缘区域； 所述中部的开孔率小于所述边部的开孔率； 所述中部为无孔结构、小直径孔结构、稀疏分布孔结构中的一种； 所述边部为大直径孔结构、密集分布孔结构、环形槽结构中的一种； 所述挡片本体10的一侧设有至少两个卡块12，所述卡块12上设有凹槽，所述凹槽的形状与所述气嘴2的外形适配； 所述凹槽的内壁能够与所述气嘴2的外壁贴合，以便所述挡片本体10架在所述气嘴2上、并保持位置稳定； 至少两个所述卡块12的中心连线不与所述挡片本体10的同一直径重合。

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