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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511803322.4，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由吴玉舟;禹久赢设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：超结结构，一个第一导电类型柱和相邻的一个第二导电类型柱形成超结单元；第一本征层，沿第二方向，第一本征层位于超结结构的一侧；多个元胞单元，与超结单元一一对应设置；元胞单元包括：载流子存储区和第二导电类型连接区，载流子存储区设置为第一导电类型，沿第一方向，载流子存储区与第二导电类型连接区相邻设置在第一本征层远离超结单元的一侧；第二导电类型体区，位于载流子存储区以及第二导电类型连接区远离超结单元的一侧；有源区，位于第二导电类型体区远离超结单元的一侧。本发明可以获得较低的正向导通压降的同时减小了器件的关断时间和关断损耗。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 超结结构，沿第一方向，所述超结结构包括交替排布的第一导电类型柱和第二导电类型柱；一个所述第一导电类型柱和相邻的一个所述第二导电类型柱形成超结单元； 第一本征层，沿第二方向，所述第一本征层位于所述超结结构的一侧；所述第一方向与所述第二方向垂直； 多个元胞单元，与所述超结单元一一对应设置，所述元胞单元位于所述第一本征层远离所述超结单元的一侧； 所述元胞单元包括： 载流子存储区和第二导电类型连接区，所述载流子存储区设置为第一导电类型，沿所述第一方向，所述载流子存储区与所述第二导电类型连接区相邻设置在所述第一本征层远离所述超结单元的一侧，所述第二导电类型连接区在所述第一本征层上的垂直投影覆盖至少部分所述第二导电类型柱在所述第一本征层上的垂直投影； 第二导电类型体区，位于所述载流子存储区以及所述第二导电类型连接区远离所述超结单元的一侧； 有源区，位于所述第二导电类型体区远离所述超结单元的一侧； 栅极结构，从所述有源区远离所述超结单元的一面向靠近所述第一本征层的方向延伸。

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