芯爱科技(南京)有限公司张垂弘获国家专利权
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龙图腾网获悉芯爱科技(南京)有限公司申请的专利一种结合高刚性基板与印刷线路板的封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121171984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511689645.5，技术领域涉及：H10W70/69；该发明授权一种结合高刚性基板与印刷线路板的封装结构及制备方法是由张垂弘;陈盈儒;陈敏尧设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种结合高刚性基板与印刷线路板的封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种结合高刚性基板与印刷线路板的封装结构，包括：非对称状的高刚性Core层封装基板；Buffer基板位于所述高刚性封装基板底部；Buffer基板由至少两层具有不同热膨胀系数的子Buffer材料层或子BTCore层组成，其热膨胀系数值自上而下呈梯度递增分布；Buffer基板的下层通过焊球与印刷线路板耦合。本申请提供的方案，非对称状的高刚性Core层封装基板通过梯度热膨胀系数分布的Buffer基板实现与印刷线路板的耦合，通过逐层递增的热膨胀系数值缓冲热膨胀差异，有效降低界面分层风险，具有缓解玻璃基板与印刷线路板之间热膨胀系数差异引发的应力集中问题，提升封装结构可靠性的优点。
本发明授权一种结合高刚性基板与印刷线路板的封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种结合高刚性基板与印刷线路板的封装结构，其特征在于，包括： 非对称的高刚性Core层封装基板，其顶层用于承载芯片或电子元件，下层与Buffer基板连接； 所述Buffer基板位于所述高刚性Core层封装基板底部，并通过通孔实现电气连接； 所述Buffer基板由至少两层具有不同热膨胀系数的子Buffer层或子BTCore层组成，其热膨胀系数值自上而下呈梯度递增分布； 所述Buffer基板的下层通过焊球与印刷线路板耦合。
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