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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种高性能低插损滤波器及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121150651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511685506.5，技术领域涉及：H03H9/54；该发明授权一种高性能低插损滤波器及其设计方法是由刘文娟;温志伟;杨思洁;刘婕妤;蔡耀;国世上;孙成亮设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能低插损滤波器及其设计方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种高性能低插损滤波器及其设计方法，属于谐振器及滤波器技术领域。该滤波器包括至少一个串联谐振器和至少一个并联谐振器；反射结构设置于叉指换能器的两侧以及多个叉指条的指端，反射结构的类型根据串联谐振器和并联谐振器的阻抗响应特性确定，在存在杂散模态的串联谐振器或并联谐振器中，反射结构为嵌入设置于压电层中的嵌入式反射栅或设置于压电层上的凸型反射栅，用于选择性抑制主谐振模态的声波能量的泄露，在无杂散模态的串联谐振器或并联谐振器中，反射结构为设置于压电层中且贯穿压电层的反射槽，用于抑制声波能量的泄露。本公开能够在降低通带插损的同时，减少产生较大的带内纹波的几率，从而提高滤波器的性能。

本发明授权一种高性能低插损滤波器及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种滤波器，其特征在于，包括至少一个串联谐振器和至少一个并联谐振器，所述串联谐振器和所述并联谐振器均包括支撑结构、压电层、叉指换能器和反射结构； 所述支撑结构具有空腔； 所述压电层设置于所述支撑结构上且覆盖所述空腔； 所述叉指换能器设置于所述压电层上，所述叉指换能器包括汇流条和位于所述空腔所在的区域的多个叉指条； 所述反射结构设置于所述多个叉指条的排列方向两侧以及所述汇流条和所述多个叉指条的指端之间的区域，所述反射结构的类型根据所述串联谐振器和所述并联谐振器的阻抗响应特性确定，在存在杂散模态的所述串联谐振器或所述并联谐振器中，所述反射结构为嵌入设置于所述压电层中的嵌入式反射栅或设置于所述压电层上的凸型反射栅，用于选择性抑制主谐振模态的声波能量的泄露，在无杂散模态的所述串联谐振器或所述并联谐振器中，所述反射结构为设置于所述压电层中且贯穿所述压电层的反射槽，用于抑制声波能量的泄露。

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