合肥晶合集成电路股份有限公司刘然获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666676.9，技术领域涉及：H10W20/45；该发明授权半导体结构及半导体结构的制造方法是由刘然;郑威;徐华超设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构及半导体结构的制造方法，该半导体结构包括：基底；该基底包括衬底和形成于衬底表面的导电线路层；其中，导电线路层包括至少两条间隔分布的导电线路；形成于导电线路层远离衬底一侧的绝缘层；其中，绝缘层内形成有与导电线路对应的至少两个接触孔以及位于相邻的接触孔之间的空气间隙；空气间隙通过去除牺牲层经等离子体刻蚀形成的牺牲层剩余部形成；牺牲层剩余部借助法拉第笼调整等离子体刻蚀方向形成。通过本申请实施例，减小了绝缘层的介电常数，降低了半导体器件的信号传输延迟。
本发明授权半导体结构及半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 基底；所述基底包括衬底和形成于所述衬底表面的导电线路层；其中，所述导电线路层包括至少两条间隔分布的导电线路； 形成于所述导电线路层远离所述衬底一侧的绝缘层；其中，所述绝缘层内形成有与所述导电线路对应的至少两个接触孔以及位于相邻的所述接触孔之间的空气间隙；所述空气间隙通过先采用绝缘材料填充牺牲层经等离子体刻蚀形成的牺牲层孔隙，再去除所述牺牲层经等离子体刻蚀形成的牺牲层剩余部形成；所述牺牲层孔隙的开口宽度沿靠近所述导电线路层的方向先减小再增大；所述牺牲层剩余部借助法拉第笼调整等离子体刻蚀方向形成。
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